几种新型内存 Giani 2000年 第7期 #1　　◆带高速缓存动态随机存储器：CDRAM（Cached DRAM） 　　CDRAM是日本三菱电气公司开发的专有技术，通过在DRAM芯片上集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器Cache和同步控制接口，来提高存储器的性能。这种芯片使用单一的＋3.3V电源，低压TTL输入输出电平。目前三菱公司可以提供的CDRAM为4MB和16MB版本，其片内Cache为16KB，与128位内部总线配合工作，可以实现100MHz的数据访问。流水线式存取时间为7纳秒。 #1　　◆Direct Rambus接口动态随机存储器：DRDRAM（Direct Rambus DRAM） 　　从1996年开始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定出新一代RDRAM标准，这就是DRDRAM。它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令而变，同一组引脚线可以被定义成地址，也可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常DRAM的三分之一。当须要扩展芯片容量时，只须要改变命令，不须要增加芯片引脚。这种芯片可以支持400MHz外频，再利用上升沿和下降沿两次传输数据，可以使数据传输率达到800MHz。同时通过把单个内存芯片的数据输出通道从8位扩展成16位，这样在100MHz时就可以使最大数据输出率达1.6GB／s。 #1　　◆双数据传输率同步动态随机存储器：DDR DRAM（Double Data Rate DRAM） 　　在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，采用延时锁定环（Delay－1ocked Loop）技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据（而不是第一代SDRAM仅在时钟脉冲的下降沿传输数据，“DDR”即是“双数据率”的意思），这样就在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高一倍。由于DDR DRAM需要新的高速时钟同步电路和符合JEDEC标准的存储器模块，所以主板和芯片组的成本较高，一般只能用于高档服务器和工作站上。另外，最近出品的GeForce 256显卡大量采用了DDR存储器，显示效果成倍提升。 #1　　◆同步链动态随机存储器：SLDRAM（Synchnonous Link DRAM） 　　由IBM、惠普、苹果、NEC、富士通、东芝、三星和西门子等大公司联合制定的一种原本最有希望成为标准高速DRAM的存储器。这是一种在原DDR DRAM基础上发展起来的高速动态读写存储器。它具有与DRDRAM相同的高数据传输率，但其工作频率要低一些，可用于通信、消费类电子产品、高档PC和服务器中。由于SLDRAM联盟成员之间难以协调一致，加上Intel公司不支持这种标准，所以这种动态存储器难以形成气候。 #1　　◆虚拟通道存储器：VCM（Virtual Channel Memory） 　　VCM由NEC公司开发，是一种新兴的“缓冲式DRAM”，该技术将在大容量SDRAM中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输（即“带宽”增大）的同时，VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。在设计上，系统（主要是主板）不须要作大的改动，便能提供对VCM的支持。VCM可从内存前端进程的外部对所集成的这种“通道缓冲”执行读写操作。对于内存单元与通道缓冲之间的数据传输，以及内存单元的预充电和刷新等内部操作，VCM要求它独立于前端进程进行，即后台处理与前台处理可同时进行。由于专为这种“并行处理”创建了一个支撑架构，所以VCM能保持一个非常高的平均数据传输速度，同时不用对传统内存架构进行“大手笔”的更改。采用VCM后，系统设计人员不必再受限于目前令人捉襟见肘的内存工作方式，因为内存通道的运行与管理，都可移交给主板芯片组自己去解决。 #1　　◆快速循环动态存储器FCRAM：（Fast Cycle RAM） 　　FCRAM由富士通和东芝联合开发，数据吞吐速度可达普通DRAM/SDRAM的4倍。FCRAM将目标定位在需要极高内存带宽的应用中，比如业务繁忙的服务器以及3D图形及多媒体处理等。FCRAM最主要的特点便是行、列地址同时（并行）访问，而不像普通DRAM那样，以顺序方式进行（首先访问行数据，再访问列数据）。此外，在完成上一次操作之前，FCRAM便能开始下一次操作。为提高内存的数据吞吐速度，FCRAM和VCM采取了截然不同的两种方式。前者从内部入手，后者则“内外一齐抓”，在拓宽内存（存储）单元、芯片接口、内存控制器的带宽上下大功夫。FCRAM的开发计划自1999年2月初便已开始。按照富士通和东芝的协议，它们将联合开发64MB、128MB和256MB的FCRAM。但和VCM、RDRAM内存技术不同的是，它面向的并不是PC机的主内存，而是诸如显示内存等其他存储器上。在制造工艺上，由于采用的是0.22微米工艺，所以FCRAM号称能做出世界上最小的内存颗粒。由于芯片面积减少，所以在相同的硅晶片上，可生产出更多的颗粒，从而有效提高了这种内存的产量。这样，一方面降低了生产成本，另一方面则提高了产品性能。富士通公司表示到2001年投入128MB和256MB FCRAM的量产，公司计划到2003年达到每月生产2百万～3百万片的生产能力。