RAM存储器是怎样工作的? 1996-07-26 图1是SRAM一个存储单元的基本结构示意图，这是一个双稳态电路，图1中的①可以等效为②，这实际上就是一个拨动开关，当开关拨到A时，输出为“1”；开关拨到B时，输出为“0”。由于开关的转换由写电路控制，所以只要写电路不动作，电路有电，开关就保持现状，所以SRAM就叫静态RAM，由于这里的开关实际上是由晶体管代替，而晶体管的转换时间一般都≤20ns，所以SRAM的读写速度很快。但是，这种开关电路需要的元件较多，在实际生产时一个存储单元需要四个晶体管和二个电阻组成，这样就降低了SRAM的集成度并且增加了生产成本。 图2则是一个DRAM存储单元的基本结构示意图，图2中①里的电容器是关键元件，如果将电容器比作杯子，那么①就可以等效为②、③，我们把小球浮出杯口时表示为“1”，完全低于杯口时表示为“0”，因此，我们要得到“1”时就必须向杯中加水(给电容充电)，同时由于杯子始终在漏水(电容本身漏电，并且读数据时电容也将少量放电)，所以要保持“1”就必须定时向杯中加水，这个过程叫刷新，DRAM就因此叫动态RAM。由于电容的充、放电需要时间，所以DRAM的读写时间远远慢于SRAM，其平均读写时间在60～120ns，但是由于它结构简单，所用的晶体管数仅是SRAM的四分之一，实际生产时集成度很高，成本也大大低于SRAM，所以DRAM的价格也低于SRAM。